張守進Shoou-Jinn Chang

鑽研磊晶技術與元件製作 提升 GaN 系列 LED 效率

1983 年成大電機系畢業後，本人留校擔任一年助教，之後赴美，於 1985 年獲得紐約州立大學石溪分校 (SUNY, Stony Brook) 電機碩士，1989 年取得加州大學洛杉磯分校 (UCLA) 電機博士。在美國唸書時，從事以分子束磊晶 (MBE) 成長矽鍺半導體材料的研究。後來到日本工作，改為研究以有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 製作光通訊用的III-V 族化合物半導體元件。1992 年回國任教後的研究領域則是各種光電半導體元件，如發光二極體 (LED)、雷射二極體 (LD)、光檢測器 (PD)、太陽能電池等製作、以及材料成長、量測與特性改善等。

剛回國時，正好趕上氮化鎵 (GaN) 系列磊晶材料品質獲得突破，國內的氮化鎵系列藍綠白光發光二極體產業也開始萌芽茁壯，我就利用之前長晶與元件製作的經驗，將大部分資源投入 GaN 系列 LED 與 GaN 系列紫外光 PD 的研究。在成果方面，特別值得一提的是，我們的團隊提出以氧化銦錫 (ITO) 取代傳統之鎳 / 金導電電極，也提出各種表面粗化的方法，以增加 LED 的光萃取效率，這些方法對於提升 GaN 系列 LED 的亮度有很大的助益。

在這漫長的研究期間，除了執行國科會 / 科技部的計畫，在 GaN 系列 LED 與 GaN 系列紫外光 PD 領域發表了許許多多的學術論文之外，也與國內相關廠商合作，執行相當多的產學合作計畫，並藉由技術轉移，將所獲致的學術成果落實到相關廠商的產品上。我們的團隊所發展出來的技術，有許多均已被廣泛採用為目前GaN 系列 LED 與 GaN 系列紫外光 PD 的前標準製程，對於協助臺灣成為世界上主要的 GaN 系列 LED 與 GaN 系列紫外光 PD 的生產國之一，做出了一定程度的貢獻。