闕郁倫Chueh Yu-Lun
國立清華大學材料科學工程學系教授

學歷
- 國立清華大學材料科學工程系博士 (2006)
- 國立清華大學材料科學工程系碩士 (2000)
- 國立中山大學物理學系學士 (1999)
經歷
- 國立中山大學物理系合聘教授 (2017/8 ~迄今)
- 國際期刊Scientific Reports/Journal of nanomaterials 編輯群 (2015/1 ~迄今)
- 美國電化學學會Electronics and Photonics Division 執行委員 (2014/10 ~迄今)
- 國際期刊Nanoscale Research Letters 助理編輯 / 副編輯 / 總主編輯 (2011/1~ 迄今)
- 國立清華大學材料科學工程學系助理教授 / 副教授 / 教授 (2009/8 ~迄今)
個人勵志銘
世上沒有白費的努力,也沒有碰巧的成功,人生只有一直創造,才能一直前進,只要瞄準大方向,堅持不懈地做下去,定會水到渠成。
新穎一、二維材料於奈米光電、電子與儲能元件前瞻創新應用
本人研究著重於新穎奈米材料合成應用於能源轉換及電子元件,主要研究分為四大方向,新穎二維材料成長前瞻電子元件應用開發、新穎一、二維材料新型儲能元件應用、前瞻奈米結構應用於銅銦鎵硒太陽能電池效能提升、新穎奈米材料之合成及應用於電阻式記憶體、海水淡化及太陽熱能研究等創新之領域。
在二維材料研究方面,近年致力發展不同新穎合成方法,2013 年起開始致力發展低溫電漿輔助硒化製程 (low-temperature plasma-assisted selenization process),降低將金屬或金屬氧化物前驅物還原成硒化物的臨界溫度,成功在軟性基板上成長出多種具有半導體特性的過渡金屬硫屬化合物與其他二維層狀材料,並開發出高效率光電、熱電、與氣體偵測器元件。相較於傳統的化學氣相沉積法,電漿的輔助除了能促進過渡金屬硫族化合物在較低的合成溫下形成,顯現應用於可撓式電子元件製備上的潛力外,近幾年來也發展一、二維材料於儲能元件應用,相關之應用包含超級電容與二次金屬離子電池。
電阻式記憶體可被視為下一世代非揮發性記憶體的候選人之一,具有簡單的金屬- 絕緣層- 金屬架構,以及良好的耐久性和尺寸微縮的潛力,在半導體產業內被看好能夠在未來取代傳統快閃記憶體。本人多年來致力發展於利用材料設計及分析技術來研究及改善電阻式記憶體元件表現,針對功能性金屬氧化物薄膜成分與疊層調變來控制記憶特性以及類神經特性。
本人也致力於開發新型 CIGS 太陽能電池技術,引入奈米結構、電漿硒化、無鎘緩衝層、表面電漿子、轉移法等技術以開發高效低成本技術,也引入奈米複合結構提高太陽熱能工作流體之熱容量,提供一實際應用於太陽熱能系統的可能性,也擴大探索材料合成端,同時提昇材料熱容量與擴大增益溫度區間,形成一增益吸放熱平台,除了應用於太陽熱能系統,也可應用於大型機具散熱、廢熱回收、熱儲存媒介、或是傳熱流體…等。
得獎感言
非常感謝科技部審查委員的支持與肯定,能在 110 年度再次獲得科技部傑出研究獎,本人除感到無限光榮外,代表本人於材料領域之研究獲得一定肯定,而今天獲獎的成功,來自於昨天研究成果積累,明天的成功則依賴於今天的努力前進,首先要感謝科技部長期研究經費支持,讓本人專心於研究創新,也感謝國立清華大學校內研究經費支持,此外,更感謝母系- 清華材料系提供優秀研究環境及傑出碩博士班學生,由於他們的加入,整個研究團隊可以共同激發更多好研究課題。
另外,感謝家人支持,更感謝我的太太- 劉宥妘女士,謝謝妳將家裡一切打理得有條有理,讓我可以全心投入研究,永遠在背後支持我,給我勇氣面對任何挑戰。未來期許能將實驗室發展之科學成果更進一步產業化,轉為有用之工程技術,更深入產學研應用合作。