張翼 Edward Yi Chang

複合物半導體的創新與產業實踐

回首過去三十餘年，我長期專注於三五族與氮化鎵半導體之材料、元件與系統整合研究，並將學術成果導入產業應用作為研究準則，建立國內具代表性的複合物半導體產學研發平臺。

我自美國明尼蘇達大學研究所畢業後，於美國Unisys 公司從事砷化鎵元件研究，返國後於國立交通大學建立完整之 III–V 族半導體研發平臺，涵蓋磊晶、元件製程、封裝與可靠度驗證，並長期與國際一流研發團隊合作，研究成果皆順利銜接後續產業應用。

多年來研究成果在 III–V 與氮化鎵元件領域具國際領先水準，相關性能指標創下多項世界紀錄。在高速電子元件方面，我與研究團隊長期投入 InAs 與 InGaAs 高電子遷移率電晶體之研發，其中 InAs HEMT 元件之截止頻率突破 710 GHz，最高震盪頻率達 600 GHz；並在 InGaAs 元件中導入 FinFET 與 GAA 架構及結合表面鈍化與電漿處理技術，使元件性能達國際已發表文獻之最佳水準。

在氮化鎵元件方面，發展多項高功率與高頻元件關鍵技術，包括四元 InAlGaN 屏障層高頻元件、漸變式 AlGaN 能障層設計，以及具高起始電壓之增強型 GaN 功率元件。相關元件於轉導、接觸阻抗、電子遷移率、崩潰電壓與功率指標等關鍵性能上，刷新既有紀錄，並可應用於高效率無線電力傳輸系統，其效能達國際領先水準。

除學術研究外，我亦長期投入產學合作與高階人才培育，建立系統化的國際招生與研究人才培養平臺，吸引國際一流研究生與博士生來臺；亦曾協助國內成立首批砷化鎵與氮化鎵元件公司，並與產業夥伴合作，將關鍵製程與元件技術導入量產，相關成果已應用於高頻通訊與高功率電子產品，強化臺灣在高頻與高功率複合物半導體領域的產業基礎。