荊鳳德 Feng-Der Albert Chin

高介電質場效電晶體及模仿大腦三維單晶片

自1998年以來，本實驗室率先推出低功率｢高介電常數｣場效電晶體。此｢高介電常數｣場效電晶體，於2007年全球開始量產，可降低功率消耗兩個數量級以上。因為這貢獻不僅獲頒IEEE Fellow，而且在全球積體電路晶圓廠中也被廣泛應用。此｢高介電常數｣場效電晶體技術，也會應用到未來2026年14埃米、2028年10埃米、2030年7埃米、一直到電晶體微縮結束。在人工智慧方面，本實驗室2004年於｢國際電子元件會議｣IEDM發表的｢三維集成單晶片｣(monolithic 3D Integration)技術，可以提高積體電路的效能，模仿大腦三維結構，並降低功耗幾個數量級。為了達到｢三維集成單晶片｣未來量產的目標，我們發展了創新的｢奈米片｣(nanosheet)氧化物半導體電晶體，在5奈米｢奈米片｣厚度，其電晶體的等效電子遷移率，甚至略高於相同厚度的單晶矽｢奈米片｣電晶體。此一技術已列入IMEC的半導體技術藍圖，未來將可延續積體電路的等效微縮，而形成真正模擬人腦硬體的三維人工智慧晶片。