113年度中央政府科技研發績效彙編

( 二) 強化IC設計研發及拓銷能量 推動國內系統應用業者以市場需求角度,結合IC設計產業量能,開發具新興 技術( 如AI) 且有助百工百業發展之高值化應用系統,以及鼓勵國內IC設計相關 業者開發具創新經濟價值或獲國際供應鏈信賴之晶片,提升我國IC設計產業競爭 力,持續強化臺灣在全球晶片供應之關鍵地位。此外,亦建置先進半導體、3DIC 異質整合、次微米感測晶片技術與高精密檢量測平臺,提供國內IC設計、半導體、 中小企業及新創業者多樣化先進製程試量產與小量量產服務,提升產業國際競爭 力。 ( 三) 開發新世代半導體技術 推動化合物半導體與量子科技關鍵技術自主化,強化我國在新世代半導體技術 的布局,包括投入化合物半導體元件設計、功率模組封測與雷射切割等技術研發, 強化上游材料與設備自主能力,建構自主且完整的在地供應鏈能量。同時發展低溫 微波控制模組等核心技術,協助國內產業布局量子電腦關鍵零組件市場,奠定未來 技術競爭優勢。 三、科研亮點成果 ( 一) 發展先進製程及先進封裝 1. 完成生成式AI 晶片運算軟硬體設計,軟體運算效能提升1.44~3.19 倍,並 開發高精度電源矽智財技術,促成22 家業者投入先期研發合作,帶動9.35 億臺幣投資。 2. 協助業者開發可應用於伺服器高效傳輸運算平臺之百兆級傳輸矽光子CPO 模組與高效能、高密度記憶體關鍵技術。 3. 開發超低損耗矽光晶片波長分波多工器(WDM),其Ring type WDM損 耗<0.5 dB,並建構國內首例高速測驗證平臺,單一通道測試速度> PAM4 200 Gbps,將此平臺整合至晶圓測試系統,可測試8 吋及12 吋晶圓,技 術達世界一流水準。 4. 113 年度促成超微及英飛凌2 家國際大廠引進半導體關鍵技術,並與國內產 學研共同研發。 72

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