科技施 政目標 執行 策略 預算數 ( 千元) 預算數占 機關整體 科技經費 比率(%) 執行數 ( 千元) 執行成果與效益 統合國 家科技 前瞻布 局，建 構跨部 會治理 新典範 聚焦推 動重點 科技任 務，提 前部署 全球關 鍵 課 題，鞏 固臺灣 科技戰 略地位 (2) 研發EDA工具有效提升晶片設計的品 質，已成功商品化2 次，其電路擺置器 MaxPlace的技術直接應用於聯發科技的 天璣系列晶片設計，顯著提升產品的效能和 國際競爭力。 (3) 提出視覺增強的技術，包含擴增 (Augment) 與減弱(Diminish) 特徵的概 念，證實擴增特徵有助於使用者集中注意力 並調節對共享物件的認知，減弱特徵則有 助於保護隱私的感知，於虛擬實境中驗證視 覺增強對於隱私與認知的影響，已發表致 ACM CSCW 2025頂尖國際學術研討會。 (4) 研究團隊學生於2024 年ICCAD CAD Contest、2024 ICCAD CADathlon、 2024 積體電路電腦輔助設計軟體製作競賽 均有亮眼的表現。 5. 次世代化合物半導體前瞻研發計畫 補助6 群學界研究團隊聚焦於更高頻、耐高 壓化合物半導體元件的關鍵技術研發。111 至 113 年度累計發表264 篇國際學術論文、促成 56 件產學合作案、培育370 位碩博士高階半 導體人才，重要成果如下： (1) 研發試製3.3KV碳化矽功率元件，特徵導 通電阻11.97 mohm-cm2 達到與國際大 廠同等水平，持續微縮功率元件尺寸以展現 強大的市場潛力。 (2) 實現高壓氮化鎵元件並建構電動車充電系 統，成功實現出雙向DC-DC功率轉換器， 功率達1600W，電能轉換效率98%，提升 電動車續航能量。 (3) 建立具商業價值之自主8 吋氮化鎵磊晶技 術，整合結構與製程技術實現高效能氮化鎵 射頻元件，奠定6G通訊與低軌衛星應用發 展之基礎。 6. 智慧化製造核心關鍵技術研發計畫 推動學界團隊研發智慧製造關鍵軟硬體整合技 術，包含數位孿生、邊緣運算、複合加工、機 器人人機協作、先進控制、電子或半導體製程 設備之量測檢測模組等技術項目，以促成智慧 製造之技術突破。完成產學合作35 件，技術 移轉19 件，同時培育高階智慧製造跨領域系 統整合人才484 人。成果舉例說明如下： 438
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