( 二) 應用積層製造技術於軍方推廣 1. 協助空軍第三後勤指揮部建立光固化與金屬積層製造能量，於112 年1 月6 日與保 修指揮部簽訂積層製造裝備委製案委製協議書，並分別於7 月、10 月完成光固化積 層製造設備交貨與小型金屬積層製造機台交貨，並進行為期3 天之零件試製與設備 運轉測試，其中亦包含人員實機教育訓練。 2. 協助空軍製作金屬版INU 計時器外框研修，於執行期間，計畫協助國防科研計畫諸 如：雄○、磐○、雄○、萬○、天○…等數個計畫完成零件試製，包含：H型絕熱 固定座、飛彈掛耳、收摺殼、發射箱介面板、撥桿、前接板、探針、口型接板、雲台、 散熱壁、整流板、供油歧管等數十項等零組件。 ( 三) 高功率元件應用研發聯盟促成與營運 1. 於104 年中科院邀請18 家半導體長晶及磊晶、元件設計及製程、模組封裝、產品 應用國內上中下游廠商，一同成立「高功率元件應用研發聯盟」，期能加速我國高 功率模組產業關鍵技術能力之創新與提升。 2. 截至113 年共有80 家廠商參與高功率元件應用研發聯盟，其中包括格棋化合物半 導體、穩懋半導體及先進電光技術與系統技術整合研究中心等知名廠商，並持續有 許多廠商詢問加入聯盟。 ( 四) 半絕緣碳化矽長晶技術高值技術授權 1. 中科院在4 吋低阻值碳化矽長晶基礎下，完成4 吋半絕緣碳化矽長晶技術奠基與精 進，並技轉台灣化學纖維股份有限公司相關半絕緣碳化矽長晶技術，將協助該公司 建立高品質4 吋碳化矽長晶全製程技術以及半絕緣碳化矽晶圓製造技術，壯大我國 寬能隙材料上游產業版圖。 2. 與臺灣化學纖維股份有限公司簽署『4 吋碳化矽長晶技術』技術授權契約，與計畫 相關之技術授權及權利金合約金額計新臺幣1,188 萬元，藉由前述技術授權案可填 補我國射頻產業上游關鍵材料缺口，落實半絕緣碳化矽晶圓產業化。有望帶動國內 射頻產業升級及提升國內應用產值，預估後續年度相關研發投資金額可達新臺幣5 億元以上。 3. 中科院完成臺灣第一條研發用化合物功率元件製造產線，並整合國研院台灣半導體 中心建置晶圓級負載拉移量測環境及百瓦級射頻功率模組驗證平臺，以利國內產業 發展所需。 104
RkJQdWJsaXNoZXIy MTI2NzAzOA==