圖4-2 可反覆式電晶體- 記憶體雙模切換實現。藉由光能自由切換電晶體及記憶體雙模式， 無光下，呈現電晶體模式；照光下，呈現記憶體模式。 圖4-3 N16 製程高密度三維通孔式 RRAM陣列。實現於N16 1P12M製程中2T4XR 三維 通孔式RRAM陣列之穿透 式電子顯微鏡圖，透過三維 堆疊設計，RRAM密度可達 0.4 Gb/mm2(MLC)。 164
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