2. 在研發高頻GaN 元件關鍵技術方面，已製作100 nm 閘極線寬之GaN HEMT 元件，達到fT=101.7 GHz 以及fmax=248 GHz 的頻率特性表現， 完成預設目標。 ( 四) 促進前瞻晶片相關技術研發 1. AI 晶片設計方面，已完成高效能AI 硬體加速器晶片設計製作，其運算效能 高達4,080 TOPS、能耗效率6.11 TOPS/W，在速度、功耗、效能已超越 國際水準。此外，也開發出支援動態資料流之超高硬體利用率神經網路加速 器晶片，模型吞吐量方面比原始設計高出4.12 倍，在常用神經網路的MAC 使用率方面達到超過97.3%。成果已於2023 年在全球頂尖的電路研討會 (ISSCC) 發表。 2. 就通訊技術而言，已開發出新取樣架構技術之低功耗通訊傳收機，112 Gb/s PAM-4 XSR 傳收機操作速度達112 Gb/s 速率，於FR4 板上可達到30mm 的傳輸距離，整體功耗效率為2.16 pJ/bit。 3. 在高頻技術方面，已完成300 GHz 發射機各關鍵元件基本量測，以布局最 佳化電晶體設計之300 GHz 放大器可提供10.8 dB 增益；次太赫茲雙極化 天線的首次完成，較過去僅進行水平極化之天線具相當大之技術進展，尤其 是雙極化之陣列天線，為臺灣首次。 ( 五) 完善前瞻晶片設計製造環境 在前瞻CMOS 標準製程晶片設計驗證環境下，已完成16nm以下晶片設計運 算環境所需之設備與相關晶片設計運算環境服務建置，高資安與高可靠度之晶片設 計專用混合雲運算資源場域已開始上線使用，整體資源使用率達8 成。此外，在下 世代應用型半導體技術製程環境建置方面，也已建立矽基氮化鎵(GaN-on-Si) 磊 晶環境及T 型金屬閘極標準製程，提供學界相關製程服務。 ( 六) 推動前瞻晶片軟硬整合 強化一站式軟硬體設計與製造整合服務，並結合AI 晶片業者共同推展國內 AIoT 技術能力，加速創新產品( 試) 量產。共投入物聯網、AIoT、半導體相關產品 開發共23 案次，其中包括導入2 案次國際案源、13 案AI 能量之創新產品等。此 外，物聯網智造基地以具備市場擴散性、產業應用性為目標，累計挖掘50 件產業 級AIoT 產品/ 轉型需求案件。 119
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