三、科研亮點成果 ( 一) 促成2 家國際大廠在臺研發投資 1. 美光：布局HBM3 先進封裝技術，已於2023 年擴大投資臺中四廠產能，並 與臺廠合作57 案，提升國內材料/ 設備廠商技術層次，設立先進記憶體應用 平臺，加速臺廠產品開發時程。另與清華大學合作，培育國內半導體人才。 2. 輝達：在臺設立亞太第1 個AI 研發中心，與總部同步研發AI 核心技術。累 計新增採購及投資2,741 億元、衍生新產品開發425 項、衍生產值1,263 億 元、新增研發人數706 人。已與我國技術合作142 案，並於2023 年底完成 設置AI 超級電腦「Taipei-1」，免費提供部分算力予各界研發使用。人才 培育方面，已與我國頂尖大學如臺大、陽明交大等合設AI 創新中心，培育逾 2,000 名人才。 ( 二) 推動化合物半導體先進製造技術研發與關鍵應用發展 1. 推動8 吋碳化矽產業鏈落地，促進國內3 家長晶業者投入開發8 吋碳化矽長 晶、磊晶及晶錠雷射切割設備；推動7 家業者開發6 項關鍵材料及通過產線 驗證；開發高純碳化矽粉末，符合國際功率晶片產業用長晶需求規格，帶動 3 家業者進駐高雄材料創新研發專區開發長晶材料，串聯上中下游廠商，形 成長晶材料驗證平臺。 2. 落實1700V碳化矽功率元件模組技術自主與在地化製造，協助碳化矽晶圓廠 完成第1 顆碳化矽功率元件開發；電源系統大廠委託設計製造電動車馬達驅 動與電池安全管理功率模組，透過計畫AQG-324平臺完成模組可靠度測試， 送樣美國車廠驗證；協助車用半導體零件製造業者開發車規等級碳化矽功率 元件與模組，預計2025 年送樣歐洲一線大廠驗證。 ( 三) 次世代化合物半導體前瞻研發 1. 在人才培育上，已補助6 群團隊執行研究計畫，累計發表157 篇國際期刊與 研討會論文，並培育250 位碩博士生。在研發高壓SiC元件關鍵技術方面， 已開發應用於再生能源及電動車的1.7kV 碳化矽(SiC) 功率元件晶片及關鍵 製程技術，特徵導通電阻(Ron,sp) 為3.41mohm-cm2，與國際大廠產品 同等級。此外，也研發出高壓SiC元件磊晶關鍵技術，生長之晶錠已成功切 割出6 吋SiC晶圓，晶體厚度為15mm、表面直徑為150mm、生長速率為 250μm/hr。 118
RkJQdWJsaXNoZXIy MTI2NzAzOA==