( 二) 投入次世代化合物半導體前瞻研發 為提升國內化合物半導體磊晶、製程及元件技術，培育電動車、B5G/6G等關 鍵半導體技術未來所需研發人才、開發突破關鍵高頻磊晶及製程技術，投入可用於 B5G/6G之sub-THz/THz 頻段操作半導體元件(fmax>600GHz)，超越目前商用 元件的輸出功率密度及操作頻率，投入高崩潰電壓(>3.3kV) 之寬能隙半導體元件 開發，用於下世代電動車及功率轉換系統。 ( 三) 完善前瞻晶片相關技術研發、製造環境建置 聚焦下世代運算晶片相關技術( 如高能效邊緣AI 運算、結合感知與AI 運算晶 片、晶片異質整合、AI 晶片軟體等) 及前瞻通訊晶片相關技術( 如高效能6G行動 通訊所需之前瞻基頻/ 高頻通訊晶片技術)。同時配合技術研發需求，將投入前瞻 CMOS 標準製程晶片設計驗證環境建置，及下世代應用型半導體技術製程環境建 置。 ( 四) 推動前瞻晶片應用產業 運用「前店後廠」服務架構，以一站式IoT 智慧系統整合服務，提升臺灣硬體 優勢並拓展AI、5G相關應用，並擴大國際連結，以帶動臺灣半導體產業再躍進。 ( 五) 打造「量子國家隊」 推動量子硬體關鍵零件自主化，協助國內產業搶先布局量子電腦之量子電腦關 鍵零組件低溫控制電路與模組等，以提升晶圓製造商與晶片設計商的開發能力。致 力打造國家量子科技研究基地、引進國內研究團隊，並進行通用量子電腦與光量子 之硬體技術開發，以達成「具實際解題能力」且完成運算之量子運算系統目標。 ( 六) 促進國際領航企業在地扎根 吸引國際級半導體、AI 大廠在臺設立研發創新，導入全球最先進記憶體、AI 等前瞻技術，並與國內產學研合作，推動我國設備材料與零組件國產化，提升臺灣 AI 軟硬體核心研發能量人才培育，加速新興產品開發並與國際接軌。 117
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