科技施政 目標 執行 策略 預算數 ( 千元) 預算數占 機關整體 科技經費 比率(%) 執行數 ( 千元) 執行成果與效益 擘劃科技 藍圖，引 領國家科 技發展 布局下世 代前沿科 技，推動 具價值創 造新興科 技研發， 預應未來 挑戰 4,285,815 8.6 4,233,011 1. 成立17 個產學研團隊，包含72 位專家學者 及24 家公司，研發「量子元件」、「量子 電腦」、「量子演算法」及「量子通訊」等 量子電腦與通訊軟硬體關鍵技術，初步亮點 例如將熱原子窄線寬預報型單光子光源的產 生率提升成為目前已知的單光子光源之世界 紀錄等。 2. 實現新取樣架構技術之112–Gb/s 通訊晶 片，功耗為2.3 pJ/bit，與國際水準相當。 3. 開發新型靜態記憶體內記憶體運算架構， 8 位元輸入/4 位元權重達到能源效率37 TOPs/W；研發ALL–MLP 神經網路加速器 架構，能源效率達3.09 TOPs/W。 4. 國立臺灣大學計畫團隊研發半導體先進封 裝具高深寬比微結構之光學關鍵尺寸量測技 術，運用深紫外寬頻光源作為光學偵測方 式，藉機器學習演算法針對最小可量測孔徑 與最大可量測深寬比進行關鍵量測瓶頸上之 突破，最小孔徑可達0.3 µm、最大深寬比 達15 倍，此為目前半導體先進封裝界領先 之技術規格指標，該項技術獲得2022 未來 科技獎。 5. 國立中央大學計畫團隊與欣興電子共同開發 自動PCB 殘膠檢測與雷射移除機，其核心 技術包括機構設計、AOI 瑕疵檢測技術、雷 射同軸系統控制與修補技術，皆為自行設計 研發，亦可自主維修與保養。於欣興電子導 入自動PCB 殘膠檢測與雷射移除機後，由 於不同PCB 板所使用膠類亦可能不同，因 此優化殘膠辨識演算法，並透過除膠測試驗 證其可行性，測試結果顯示，作業時程由導 入前每片約2 分鐘縮短至導入後僅約30 秒， 可縮短作業時程75%，加快檢測修補時間， 降低設備與廢料成本。 6. 完成矽摻雜氮化鎵磊晶技術之優化，矽基氮 化鎵(GaN–on–Si) 特性之電子濃度與片電 阻已可與碳化矽基氮化鎵(GaN–on–SiC) 競爭，已具有商業化的潛力。 7. 成長氮化鋁鎵(AlGaN) / 氮化鎵(GaN) 高 電子遷移率電晶體於6 吋矽基板，緩衝層厚 度達6.4 µm，氮化鎵磊晶品質居於國際一流 水準(X–ray rocking curve FWHM：(002) = 37 arcsec、(102) = 504 arcsec)。 420
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