( 三) Å世代半導體技術 1. 高頻化合物半導體技術：研發氮化鎵(GaN) 磊晶於8 吋矽晶圓專利緩衝層 技術，克服易碎問題，與國際領先之法國大廠OMMIC相比，破片率降低 10%以上，協助矽基板廠商合晶轉型為國內首家高頻氮化鎵磊晶圓供應商。 研發氮化鎵晶圓T 型閘極元件結構，蝕刻技術達到85nm製程線寬，領先歐 洲首屈一指之半導體研究機構iMEC(110nm)，持續與英商牛津儀器合作開 發T 型閘極元件量產製程，引領臺灣業者布局下世代通訊市場，110 年促成 國內外業者投資金額3.02 億元。 2. 可程式異質整合封裝技術：開發全球首創軟體可程式化封裝設計架構，以因 應少量多樣產品開發需求，布局國內外核心專利9 件，結合國內外業者( 聯 發科、華邦、美光) 裸晶，建立兩式電路參考設計；與系統應用業者合作無 線感測膠囊，促成至少3家業者先期參與。110年促成產業投資金額2.16億。 3. 次奈米半導體元件與晶片關鍵技術探索：陽明交大研究團隊進行具有高速及 大記憶窗口鐵電鰭式電晶體於高密度記憶體之研究，榮獲2021 年9 月I EEE E lect ron Dev ice Let ter s ( I EEE EDL) 封面論文。臺大研究團隊完成下一代 SRAM-based CIM macro 設計與晶片製作，提出CIM energy-aware bi t -wi se pruning 機制，可降低33%能源消耗。 ( 四) 人才培育與中心維運 培育契合企業需求高階人才：籌組產、官、學半導體人才國家招募團隊，辦理 國內外人才招募活動，建置國內/ 國際473 份高階人才資料庫；建構半導體高階人 才發展平台，鎖定高階晶片設計、高階製程與材料、高階封裝等前瞻技術主題，導 入日本、新加坡( I EEE 專家) 等國際級師資講授，推動高階國際化精進人才，促成 1,165 人次參與，提升高階技術人才研發動能。 四、未來展望 ( 一) 半導體設備 1. 進行 β- s i te 整機驗證實測：持續追蹤輔導已驗證中個案，搭配指標客戶驗 證時程，進行110 年通過案源之規格查核；探索潛力新製程設備項目，透過 指標客戶溝通平台，盤點國內可發展之項目，持續促成廠商申請補助計畫進 行設備品質驗證；促進國產零組件合作，協助指標客戶擴大在地供應鏈，發 展關鍵零組件，培養在地供應廠商。 95
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