透過主題式計畫協助國產化設備通過指標終端業者( 如台積電、聯電、日月 光等) 品質及可靠度驗證測試，亮點成果如(1) 前段晶圓製程：離子佈植設備、 物理氣相沉積(PVD) 設備；(2) 後段先進封裝製程：RDL 介電層貼合製程設 備、先進封裝RDL 線路光阻去除設備、先進封裝塗佈顯影、先進封裝晶種層 物理氣相沉積設備。110 年度新增產值效益合計共5.3 億元。 2. 加速外商設備製造在地化：推動國際大廠設備在臺研發，核定優貝克科技「半 導體前段先進製程濺鍍設備與製程優化開發計畫」執行期程3 年。計畫開發 3 奈米與2 奈米製程所需12 吋專用鍍膜整機關鍵技術，整機設備將由日本逐 步轉移來臺研發與生產。預計結案後相關物理氣相沉積設備國產率將提升至 70%以上，帶動50 家以上國內零組件供應鏈升級。 3. Å尺度半導體檢測技術：在基礎科研方面，臺大研究團隊開發完成電子顯微 鏡原子位移演算法並實際取樣驗證，目前精度極限達3pm。同時，以創新散 射同調干涉方式讓奈米粒子本身的散射光與受光照射生熱造成的光散射兩者 干涉，提高靈敏度，可以偵測到直徑僅有5 奈米的粒子，相關研究成果發表 於ACS Photonics 國際期刊。 ( 二) 關鍵材料 1. 管制/ 非管制材料自主化：為鼓勵業者投入管制材料與非管制材料研發在地 化，運用產創平台主題式研發計畫推動國內廠商投入7 項半導體材料開發， 並藉由法人建立 α- s i te 驗證平台與下游應用端串聯，以加速業者產品通過 產線測試。已建立2 項 α- s i te 驗證平台包含高密度覆晶封裝材料驗證平台、 5G Ai P 材料評價驗證平台協助國內長興公司、華新科進行產品整合開發與 完成材料驗證，縮短下游應用端驗證時間，加速產品導入市場，提高產業國 際競爭力，建立產業群聚優勢。預計計畫完成後三年內促成廠商投資20 億 元，新增就業人數達100 人，創造銷售額累計60 億元。 2. 挑戰物理極限半導體元件材料：陽明交大研究團隊開發二維半導體材料 MoSe2 生長於Au(111) 表面之光學顯微影像及原子解析影像，顯示具有極 低缺陷密度1.6×1010 cm-2。也成功利用濕式轉印的方式將F lake 轉貼 在一平方英吋S iO2/S i 基板上，再選用實驗室開發的一道式光罩製程，符合 快速量產晶片需求，用contact al igner 曝光機成功製備出極佳電特性的 MoS2 薄膜電晶體。 94
RkJQdWJsaXNoZXIy MTI2NzAzOA==