中央政府科技研發績效彙編109年度 附錄

與航太金屬積層製造合作意願書」，協助國內航太相關業者進行積層製造零 組件設計開發，擴大我國積層製造技術應用。 3. 中科院與美國 Youngs town Uni ver s i ty 簽訂合作意向書，建立雙方在航太 積層製造領域的技術交流，協助國內廠商了解美國市場與國際標準趨勢。 4. 進行積層製造專利分析與核心專利建置，逐步擴及原料、設備及設計應用之 佈局，深耕產業技術。 5. 推展積層製造技術至我國空軍體系。推廣積層製造至空軍航空技術學院 ( 航 校 ) ，已規劃時數 72 小時排入該校 111 年寒訓課程。獲空軍三指部正式來函， 協助籌建該部積層製造能量。 ( 二 ) 整合國內 S iC 晶圓上中下游產業技術開發及升級 由於 5G 市場來臨，半絕緣 S iC 晶圓成為各國大廠急於開發之關鍵基板材料。 發展 6 吋高品質 S iC 單晶晶圓降低成本，為我國進入國際市場之致勝關鍵。中科院 投入 4 吋半絕緣 S iC 晶圓開發，導入新型熱場長晶技術，扶植上游業者投入，建立 原料、長晶、設備三大平台，解決上游關鍵材料缺口。再由自主技術產出自製晶圓， 整合 S iC 進行氮化鎵高功率放大器模組中下游磊晶及元件研發平台，培養業者自主 關鍵技術以健全碳化矽產業體質，增加國際競爭力： 1. 藉由技術移轉輔導國內廠商公司投入『氮化物電晶體結構』、『高頻功率元 件氮化鎵磊晶技術』等技術研發，以及技術移轉輔導國內鑫瑞光照明公司、 凌積應用公司、龍彩科技等公司投入 T iO2 Anatase 溶膠應用、高功率光纖 元件封裝機構技術，有效逐步完整台灣寬能隙半導體產業鏈。 2. 經中科院引導蓄源科技、鎵聯通科技、環球晶圓、博盛半導體、旺矽科技股 份有限公司、光環科技等公司透過技轉合作、委託製造、輔導申請業科等方 式，促成廠商投資達 1.9 億元以上，完整國內氮化鎵功率模組產業晶圓磊晶 與製造、封裝與測試之產業鏈，目前整體功率 / 射頻電子產業鏈已趨完整。 3. 透過中科院輔導，邀請高功率元件應用研發聯盟中具備射頻功率之關鍵技術 與零組件成員廠商「鎵聯通科技股份有限公司」及「全訊科技股份有限公司」 共同成立「射頻功率產品研發企業聯盟」，聯盟成員同意就「 5G 毫米波段 小型基地台」等項目進行合作開發，並簽署合作開發意向書，於中科院協助 下進共同爭取政府研發資源，藉由該聯盟成員之優勢能量結合，發展高功率 產業應用市場。 4. 共同執行單位交大獲得 109 年度東元獎 ( 電機 / 資訊 / 通訊科技類別 ) ：長 107