中央政府科技研發績效彙編 108年度 附錄

國防部之科技研發績效 三、科技研發績效對機關總體施政之貢獻，以及對科技政策落實之貢獻 國防部 108 年度主要績效成果進行運用 ， 並與產業鏈結 ， 協助上中下游產業技術升 級與合作 ， 具體運用成效說明如下 ： ( 一 ) 整合積層製造上中下游產業技術開發及升級 推動台灣航太積層製造產業協會 ， 以資訊交流與技術整合角度結合原料 、 設備 、 服務及應用等上下游業者共同開發積層製造技術 ， 將關鍵積層製造技術導入產業鏈 以提升整體競爭力 ： 1 . 中科院與數○科技公司共同成立航太積層製造研發中心 ， 由中科院作為技術 後盾 ， 對該公司發展航太積層製造技術有極大幫助 。 2 . 為使積層製造技術能落實我國國防產業 ， 中科院與漢○公司共同簽署 「 國防 與航太金屬積層製造合作意願書 」， 協助國內航太相關業者進行積層製造零 組件設計開發 ， 擴大我國積層製造技術應用 。 3 . 中科院與美國 Youngstown Uni vers i ty 簽訂合作意向書 ， 建立雙方在航太 積層製造領域的技術交流 ， 協助國內廠商瞭解美國市場與國際標準趨勢 。 4 . 協助偉○精密機械公司進行大型化積層製造設備開發及粉末氣體輸送技術 ， 可提升該公司機台設計製作能力 。 5 . 協助東○精機公司進行製程循環腔體流場分析與加熱出風口氣場設計 ， 可提 升該公司機台設計製作能力 。 6 . 協助復○應用科技公司進行鎳基超合金熔煉技術開發 ， 可提升該公司超合金 熔煉的能力 。 ( 二 ) 整合國內 SiC 晶圓上中下游產業技術開發及升級 由於 5 G 市場來臨 ， 半絕緣 SiC 晶圓成為各國大廠急於開發之關鍵基板材料 。 發展 6 吋高品質 SiC 單晶晶圓降低成本 ， 為我國進入國際市場之致勝關鍵 。 中科院 投入 4 吋半絕緣 SiC 晶圓開發 ， 導入新型熱場長晶技術 ， 扶植上游業者投入 ， 建立 原料 、 長晶 、 設備三大平台 ， 解決上游關鍵材料缺口 。 再由自主技術產出自製晶圓 ， 整合 SiC 進行氮化鎵高功率放大器模組中下游磊晶及元件研發平台 ， 培養業者自主 關鍵技術以健全碳化矽產業體質 ， 增加國際競爭力 ： 1 . 藉由技術移轉輔導國內廠商公司投入 『 氮化物電晶體結構 』、『 高頻功率元 件氮化鎵磊晶技術 』 等技術研發 。 以及技術移轉輔導國內鑫○光照明公司 、 凌○應用公司 、 龍○科技等公司投入 TiO 2 Anatase 溶膠應用 、 高功率光纖 元件封裝機構技術 ， 有效逐步完整臺灣寬能隙半導體產業鏈 。 2 . 經中科院引導○源科技 、 鎵○通科技 、 環○晶圓 、 博○半導體 、 旺○科技股 110