中央政府科技研發績效彙編 108年度 附錄

績效指標類別 績效指標項目 達成值 重要效益說明 G. 智慧財產 國內 / 外專利申 請 ( 件 ) 13 件 / 12 件 1 . 積層製造技術申請國內外專利 11 件 ， 包 含 G r i nd i ng Ca v i t y Body o f Mu l t i p l e Vibration Sources 、 Multi-Dimensional Vibration Grinding Cavity Body 、 高蒸發性 流體噴注器等領域 ， 相關專利申請皆為保護計 畫研究產出物所提出 ， 後續獲得通過後 ， 將有 助於我國產業發展 。 2 . 功率電子計畫申請國內外專利 14 件 ， 包含 Preparation apparatus for uniform silicon carbide crystals 、 Method for Preparing Aluminum Nitride-Zinc Oxide Ultraviolet Detecting Electrode 、 一種均勻碳化矽晶體 制備裝置 、 氮化鎵異質整合於矽基板之半導體 結構及其製造方法 、 選擇性成長高能隙之氮化 鎵汲極於互補式金屬氧化物矽半導體場效電晶 體 、 一種製備氮化鋁 - 氧化鋅紫外光檢測電極 之方法等領域 ， 相關專利申請皆為保護計畫研 究產出物而布局 ， 並以申請美國 、 日本 、 德國 等國專利作為保護 ， 後續獲得通過後 ， 將有助 於我國產業發展 。 國內 / 外已獲得 專利 ( 件 ) 17 件 / 3 件 獲 得 國 內 外 20 件 發 明 及 新 型 專 利 ， 包 含 M E T HO D F O R I MP R O V I N G A D H E S I ON BETWEEN CERAMIC CARRIER AND THICK F I L M C I R CU I T ( 美 國 ) 、 M E T HO D O F PRODUCING HETEROPHAS E GRAPHITE( 美 國 ) 、 Single base thruster( 日本 ) … 等 。 J 1 . 技轉與智 財授權 技轉 ( 含先期技 術 ) 國內廠商或 機構 8 , 058 千元 本年度共達成 12 件技術移轉案 ， 收入金額達 8 , 058 千元 。 研發成果收入繳庫金額為 3 , 223 千 元 ， 順利達到並超越年度規劃目標 。 透過先期合 作方式與廠商共同研發 ， 並獲得廠商技轉金額達 年度規劃目標 ， 並藉由後續合作擴大計畫成效 。 L. 促成投資 促成研發及生產 投資金額 352 , 000 千元 促成國內廠商投入 『 大型化積層製造設備 』、『 金 屬積層製造設備硬體開發技術 』、『 金屬零件積 層製造製程開發 』、『 積層金屬粉末開發技術 』、 『 晶圓級射頻功率測試 』、『 碳化矽晶圓 』、 『 GaN 功率元件開發 』、『 三五族磊晶開發 』 等達成並超越本年度規劃目標 ， 引導廠商投入生 產 、 研發等方面投資與人力增聘 。 社會福祉提升 R. 增加就業 110 人 藉由先期技術研發參與 、 技術移轉 、 共同合作開 發技術等方式 ， 促使廠商增聘人數達 110 人 ， 有效達成政府促進就業之政策目標 。 109