綦振瀛 Jen-Inn Chyi

研究三五族化合物半導體 推動臺灣光電產業發展

本人自1991 年回國任教於國立中央大學，陸續建立分子束磊晶實驗室與有機金屬氣相磊晶實驗室，專注於化合物半導體異質結構磊晶技術與光電元件之研究。初期所發展之InAlAs/InGaAs/GaAs 變形（Metamorphic）磊晶技術，實現了高性能高速場效電晶體，異質接面雙極性電晶體及共振穿隧二極體，在當時是國際上唯一可同時應用到單極性及雙極性元件的案例。

本人自1996 年起投入自組式量子點光電元件之研究，與中大物理系徐子民教授合作，利用調制光譜技術探討InGaAs 量子點之電子與光學特性，證實了量子點中之簡併態，電子充填順序及載子逃脫機制等基本物理特性。此外，也實現了包括量子點雷射，單光子發射器，紅外線光偵測器與發光二極體等光電元件，其中又以單光子發射器相關成果最受國際矚目，已獲逾300 次的引用。

自1998 年以來，本人帶領學生亦陸續開發多項高亮度紫外、藍、綠光發光二極體相關技術，獲得國內外專利近30 件，部分技術不但已導入生產線，也對保護臺灣發光二極體業者迴避國際大廠的專利頗有助益。2000 年協助衍生新創公司，投入藍、綠光發光二極體之生產，此公司於2002 至2014 年間累積之營業額逾新台幣百億元，並創造數百個工作機會。

本人自1999 年開始投入氮化鎵材料與元件之研究，在節能減碳的潮流下，這項研究特別具有產業價值與永續發展的意義。陸續獲台達電、晶元光電、漢磊科技、聯穎光電、隆達電子、穩懋半導體等公司之支持，進行功率二極體、電晶體與毫米波電晶體之研究，為臺灣的第三類半導體人才培育與技術發展奠定良好的基礎。

得獎感言

得獎的時刻也是感恩的時刻，我的研究受惠於多方的貢獻，包括國科會、教育部、經濟部與產業界的經費，以及許多願意和我一起追求創新突破的學生、國內外傑出的合作夥伴和學校提供的空間與環境等。

在此要特別感謝兩位貴人，一位是中央大學前校長劉兆漢院士，在我剛加入中大時，給予足夠的經費建置分子束磊晶系統以及後續的有機金屬氣相磊晶系統，讓我們得以快速展開研究工作，競逐國際學術界。另一位是台達電創辦人鄭崇華先生，由於他慨允捐贈先進的氮化物磊晶系統，讓我們在氮化鎵材料與元件的研究開創了新的格局。

我何其有幸，在研究的路上受到許多關照與協助，未來仍將秉持初衷，將這些幫助轉化為動力，以培育更多傑出的人才，產出更多前瞻的成果。